Круглые магнетроны с фланцевым креплением и плавной регулировкой степени несбалансированности

Магнетрон оснащен электромагнитной катушкой, позволяющей изменять степень несбалансированности. Тем самым изменяется плотность ионного тока на подложку. Экспериментальная зависимость ионного тока на подложку от тока в электромагнитной катушке приведена на рис. 1.

Рис. 1.Зависимость ионного тока на коллектор I_i от тока в электромагнитной катушке I_с
(P_Аr =  0.3 Па, U_см= -100 В, f_см = 18 кГц, мощность разряда – 2 кВт).

 Изменение плотности ионного тока дает возможность управлять свойствами растущей пленки, что может оказаться полезным при разработке новых технологий. В качестве примера, на рис. 2 приведена зависимость удельного сопротивления прозрачной проводящей пленки легированного галлием оксида цинка от тока в электромагнитной катушке магнетрона. Можно видеть, что существует оптимальный ток в катушке, а следовательно, оптимальная плотность ионного тока.

Рис. 2. Зависимость удельного сопротивления покрытий ZnO:Ga
от тока в электромагнитной катушке при температуре подложки: 1 – 20°C; 2 – 90°C.

Снимки свечения магнетрона, работающего в сбалансированном и несбалансированном режиме приведены на рис.3.

Рис. 3. Свечение магнетрона в сбалансированном (слева) и несбалансированном (справа) режимах.