Главная   —   Каталог   —   Источники питания для магнетронного распыления импульсами высокой мощности  —   Сильноточное + среднечастотное импульсное магнетронное распыление

Сильноточное + среднечастотное импульсное магнетронное распыление

Серия: HIPIMS + MF (Medium frequency pulses)

Сильноточное + среднечастотное импульсное магнетронное распыление Оформить заказ
 

Cущественным недостатком HIPIMS метода является снижение скорости осаждения покрытий по сравнению с традиционными методами распыления на постоянном токе (DCms) или импульсными среднечастотными (MFms). Степень снижения скорости напыления зависит от распыляемого материала и может достигать нескольких десятков процентов [1]. Причиной является притяжение ионизированного распыленного материала назад к катоду [2].

Чем больше степень ионизации распыленного материала, тем сильнее снижается скорость осаждения покрытий. Низкая степень ионизации материала наблюдается для частиц с малым сечением ионизации электронным ударом и высоким потенциалом ионизации, например, углерода (4,5 %).  Высокая степень ионизации наблюдается для частиц с большим сечением и низким потенциалом ионизации, например, титана (до 90%) и меди (до 70%).

В свою очередь, недостатком распыления на постоянном токе (DSms) часто является качество формируемых покрытий: недостаточная плотность, высокая пористость и т.д. Низкое качество напыляемого покрытия в значительной степени связано с невысокой концентрации плазмы (109- 1010 см-3) и, как следствие, низкого отношения потока ионов к потоку атомов на подложку (~0.1). Кроме того, плазма, генерируемая в режимах DCms или MFms, характеризуется низкой энергией ионов (1–10 эВ) и представлена в основном газовыми ионами.

Для формирования высококачественных покрытий при высокой скорости осаждения, используется комбинированное питание магнетронной распылительной системы HIPIMS+MF(DC) [3,4]. Комбинированный метод, как можно понять из его названия, параллельно использует импульсное питание высокой мощности и импульсное среднечастотное питание, которое характеризуется относительно невысокой импульсной мощностью, или питание постоянного тока.  Результирующие свойства пленок, осажденных данным методом, представляют собой комбинацию свойств пленок, нанесенных в DC и HIPIMS режимах [5,6]. На рис. 1 приведена схема источника питания HIPIMS+MF(DC).

                     Рис. 1. Схема гибридной системы электропитания HIPIMS+MF(DC)

Как показано на схеме, система электропитания состоит из двух блоков: сильноточного импульсного источника серии APEL-HIPIMS, униполярного или биполярного импульсного среднечастотного  источника серии APEL-M (APEL-M-PDC или APEL-M-BP). Для суммирования выходного напряжения используется блок согласования, расположенный внутри сильноточного блока. Источники имеют общий канал связи, по которому осуществляется синхронизация выходных импульсов.

На рис. 2 приведена эпюра выходных импульсов напряжения и тока в гибридном режиме HIPIMS+MF(DC), на которой отображены основные параметры импульсов. 

Рис. 2. Импульсы напряжения  и тока в гибридном режиме магнетронного распыления HIPIMS+MF/DC

В каждом блоке может независмо устанавливаться амплитуда, частота и длительность импульсов. Диапазон изменения каждого параметра определяется используемой моделью источника питания. 

Смотрите также другие разделы, касающиеся сильноточного импульсного магнетронного распыления:

  • HIPIMS+SB - системы электропитание, обеспечивающие формирование сильноточных импульсов для питания магнетронных распылительных систем и сфазированных с ними импульсов смещения подложки
  • HIPIMS DU - сильноточные импульсные источники питания для дуальных магнетронных распылительных систем
  • MPPMS - источники электропитания для модулированного магнетронного распыления импульсами высокой мощности
  • HIPIMS и HIPIMS BP - униполярные и биполярные источники питания для сильноточного импульсного магнетронного распыления 

 

  1.  U. Helmersson, M. Lattemann, J. Bohlmark, A.P. Ehiasarian, J.T. Gudmundsson, Thin Solid Films 513 (2006) 1.
  2.  D.J. Christie, J. Vac. Sci. Technol., A 23 (2005) 330.
  3.  Bandorf, R.; Falkenau, S.; Schmidt, V. 50th SVC Annual TechCon Proceedings; 2007, 477.
  4.  Bandorf, R.; Falkenau, S.; Schiffmann, K.; Gerdes, H.; Heckmann, U. 51st SVC Annual TechCon Proceedings; 2008, 59.
  5. G. Greczynski, J. Lu, J. Jensen, I. Petrov, J.E. Greene, S. Bolz, W. Kölker, C. Schiffers, O. Lemmer, L. Hultman, Thin Solid Films 556 (2014) 87.
  6. E. Lewin, D. Loch, A. Montagne, A.P. Ehiasarian, J. Patscheider, Surf. Coat. Technol 232 (2013) 680.